技术详细介绍
本发明提供了一种相变温度可调的薄膜的制备方法,包括:在硅片上沉积氧化硅薄膜、氮化硅薄膜;采用离子束反应溅射法沉积氧化钒薄膜,工艺条件为:背底真空4×10-4Pa～3×10-3Pa,氧气压强6×10-4Pa～8×10-3Pa,氩气压强1×10-2Pa～2.3×10-2Pa,离子束流功率8W～60W,衬底温度120℃～450℃,溅射时间10～45分钟,靶材为钒靶;对样片进行退火处理,工艺条件为:气体为氩气或氮气,退火温度250℃～580℃,退火时间20～240分钟,得到相变的氧化钒薄膜。由本发明制备的氧化钒薄膜具有不同的相变温度点,可作成适用于不同温度的开关;保证温度控制操作时的高质量、高速度、高响应率。