技术简介： 本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供了一种鞋槽自动画线装置，包括固定旋转装置和画线装置，所述固定旋转装置和画线装置均电连接于控制系统。其中，所述固定旋转装置包括多向固定台，所述画线装置包括机器人装置、点…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种静电成形薄膜反射面与桁架横杆的连接机构，包括竖直部分和水平部分均沿其纵向开设有一条一字槽的L形折弯件;L形折弯件的水平部分上通过紧固螺栓连接有两个U型口相对的U型夹具;L…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法，所述制备方法如下：首先在透明导电基板上制备由宽禁带半导体氧化物纳米材料构成的亚微米厚薄膜，然后用离子交换法在薄膜中沉积…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管,主要解决现有LED结构复杂,工艺周期长的问题。其包括：c面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极,其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000-…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、槽栅（7）、钝化层（8）、栅场板（9）、漏场板（11…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种阶梯电流阻挡层垂直型功率器件，主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题。其包括：衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、左右两个对称的多级阶梯结构电流阻挡层（4）…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及薄膜与涂层制备技术领域,具体为一种紧凑高效的准扩散弧冷阴极弧源。准扩散弧冷阴极弧源由弧源头与控制磁场组组成,弧源头包括靶材、靶材底座、靶材底座屏蔽罩、靶材底盘、引弧装置和永…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开的光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件及制备方法,电荷耦合器件包括从上往下依次设置的二向色滤光片、红外吸收滤镜、控制线和微型信号线及通过隔膜隔断的多个液晶单元构成的液…… 查看详细 >
全色堆栈式倒装RGB Micro-LED芯片阵列及其制备方法
技术简介： 本发明提供一种全色堆栈式倒装RGBMicro-LED芯片阵列及其制备方法,包括衬底和在衬底上外延生长的蓝、绿光LED外延层,以及在蓝、绿光LED外延层上继续生长的红光LED外延层;然后通过刻蚀和沉积技术在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种印制电路内层可靠孔和线的加工方法。该加工方法先将内层双面覆铜板的面铜减薄且钻出所需导通孔,然后进行化学镀铜及快速电镀铜;接着运用图形转移技术将所需线路及导通孔露出,并…… 查看详细 >
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