[01159310]半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法,主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理,并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC：Ge过渡层;在GaN重掺杂层或SiC：Ge过渡层上确定欧姆接触区域,并对欧姆接触区域之间的GaN重掺杂或SiC：Ge过渡层区进行KOH刻蚀,使该沟道区的SiC衬底为Si面;在欧姆接触区域上和所述沟道区的Si面上,淀积一层高介电常数的SiN材料;刻蚀掉欧姆接触区域上的SiN材料,并在该区域淀积金属,引出电极。本发明具有比接触电阻和方块电阻低,使用寿命长的优点,可用于对半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作。