[01236469]基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法。其实现步骤是：1)在清洗后的SOI晶圆顶层Si层上淀积SiO2层;2)对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层,并去除非晶化层上的SiO2层;3)在顶层Si层上淀积张应力或压应力SiN薄膜后将SiN薄膜刻蚀成条状,得到单轴张应力SiN条状阵列或单轴压应力SiN条状阵列,并对该SOI晶圆进行退火,使非晶化层再结晶,使SiO2埋绝缘层发生塑性形变;4)刻蚀掉SiN条状阵列,得到晶圆级单轴应变SOI。本发明可靠性高、成本低、应变大小可控、无Ge杂质扩散、成品率高、平整度高、应变量大,可用于制作晶圆级单轴应变SOI材料。