技术简介： 本发明公开了一种非均质功能器件快速成形微制造方法,采用下述方法步骤：根据制造非均质功能器件的要求,将不同的金属、合金材料或者非金属材料作为成形材料分别放入不同的液滴发生装置中,将低熔…… 查看详细 >
技术简介： 具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件,属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上,二者采用共用阳极结构;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺,包括以下步骤：在带有氮化硅或氧化硅衬底的硅片上溅射沉积NiCr薄膜;光刻,形成所需要的图形;将步骤所得的硅片放入刻蚀设备,用氯基气体与六氟化硫的混合…… 查看详细 >
技术简介： 利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法.本发明公开了一种利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法，提供一种利用金刚石膜结构和能够起到去除集成电路晶片表面残留有机物、颗…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及微电子器件制造领域,公开了一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法。该垂直围栅MOSFET器件,包括：半导体衬底,垂直设置在半导体衬底上的圆柱形的沟道区,沟道区的圆柱形外设置有截面为槽形…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法,属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件,…… 查看详细 >
技术简介： 随着科学技术的日益更新,在人类迈向更高文明社会的同时,能源危机和环境污染已经涉及到工业、农业、商业、金融、科教文卫、国防和百姓生活的各个领域。此时,发展可再生能源改变人类的能源结构,如…… 查看详细 >
技术简介： 本发明的目的在于针对现在单体太阳电池再现测试过程中产生的问题,提供一种单体太阳电池在线测试用防碎移载吸盘,能使移载过程稳定,解决在单体太阳电池测试过程中因材料原因而产生的碎片问题。为…… 查看详细 >
技术简介： 本项目属光电探测技术领域。高性能室温太赫兹探测器阵列是各国竞相研发和抢占的国际前沿技术领域,在航空航天飞行器与战略导弹材料缺陷无损检测、空中目标宽频段反隐身探测等方面具有不可替代性,…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底（1）、第一层AlGaN/GaN…… 查看详细 >
技术简介： 本成果提出了一种新型的透明导电薄膜的制造方法,主要应用领域触控与显示、薄膜太阳能电池、OLED透明电极、柔性电子等领域。可替代现有行业采用的ITO（氧化铟锡）透明导电材料,突破了ITO材料应用…… 查看详细 >
技术简介： 本发明实施例公开了提供了一种制造气体敏感复合薄膜的方法,包括：将氧化物纳米结构材料分散于有机溶剂中,获得纳米结构材料分散液;将纳米结构材料分散液铺展于LB膜槽中形成氧化物纳米结构有序层;…… 查看详细 >
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