[01218656]一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法
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技术详细介绍
本发明涉及微电子器件制造领域,公开了一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法。该垂直围栅MOSFET器件,包括：半导体衬底,垂直设置在半导体衬底上的圆柱形的沟道区,沟道区的圆柱形外设置有截面为槽形的环状的介质层,所述槽形开口向上,所述介质层的槽内设置有环状的栅导电层,所述介质层的槽外设置有环状的漏导电层,所述介质层的槽外底部与所述半导体衬底接触,所述沟道区上设置有源导电层,其圆柱形上部掺n+杂质作为源端n+区,与漏导电层底部接触的半导体衬底区域掺n+杂质作为漏端n+区,其特征在于,所述沟道区的圆柱形中部设置有非对称Halo掺杂结构p+区。