技术简介: 石墨烯是近几年以来开发出的新材料,石墨烯在材料属性方面拥有多项世界之最,最强导电性、最硬材料、超高电导率、超高透光性,因此石墨烯材料在储能、电子器件、太阳能、复合材料等多个领域有望…… 查看详细 >
技术简介: 本发明属于磁性氧化物纳米材料及其制备技术领域,特别是一种二元磁性氧化物单晶纳米片的制备方法。本发明针对现有制备过渡金属磁性氧化物所存在的需要较高的烧结温度、操作复杂、原料费用昂贵的…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种碳纳米管负载型催化剂的制备方法。本发明的制备方法包括以下步骤:(1)碳纳米管的官能团化;(2)将磁性纳米颗粒沉积到官能团化的碳纳米管表面,得到磁性碳纳米管;(3)将活性金属元…… 查看详细 >
技术简介: 本发明一种快速合成纳米3A分子筛的方法。本发明通过如下方式完成:合成纳米3A分子筛的原料采用氢氧化铝、氢氧化钠、氢氧化钾、硅酸钾和无定形二氧化硅;合成纳米3A分子筛的方法是:将氢氧化铝固…… 查看详细 >
技术简介: 本技术可以在金属、玻璃等多种基底上镀膜生产。基底经过清洗-烘干-镀膜等工艺。其中镀膜采用磁控溅射技术,为产品技术核心。磁控溅射镀膜是在正交的电磁场作用下,溅射气体离化为载能粒子并轰击…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种制备三族氮化物衬底的方法,其特征在于,包括下列步骤:(1)在蓝宝石衬底上生长三族氮化物薄膜,薄膜厚度在50纳米到50微米之间;(2)用高能量激光从衬底背面入射辐照,使三族氮化…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种肖特基型室温核辐射探测器,包括以GaN基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极,其特征在于:所述GaN基底为厚膜结构,其厚度为100um~200um,所述肖特基电极和欧姆电极分别…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法,先将硅衬底清洗后,并吹干,放入反应磁控溅射装置的反应室中,沉积前反应室背底绝对压力低于5×10-3Pa;采用Fe和Mg靶材作为…… 查看详细 >
技术简介:
本发明公开了一种掺铈的钇铝石榴石荧光粉体的制备方法,其特征在于:在制备钇铝石榴石粉体的原料配方中添加Sc(NO
技术简介: 本实用新型提供了一种可调式光伏聚光装配结构,包括聚光板、受光板、四个支柱、四块侧面板、承重框及盖板框,所述承重框与四个支柱螺接构成一立方体结构,盖板框螺接在承重框上部夹持聚光板,四…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型揭示了一种LED纳米光催化室内空气净化装置,包括进风口、箱体、抽风机、光催化担载体、激发光源、出风口,箱体自一侧顺次设置进风口、活性炭粗过滤、光源、光催化担载体、抽风机及出…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种探测集成电路衬底噪声的方法,设计一个采用PMOS管组成的信号通路,采用折叠式结构的两级放大器,作为衬底噪声探测电路,衬底噪声探测电路包括噪声信号耦合部分和信号放大电路,衬…… 查看详细 >
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