[00134399]用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810234755.2
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供一种用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法，先将硅衬底清洗后，并吹干，放入反应磁控溅射装置的反应室中，沉积前反应室背底绝对压力低于5×10-3Pa；采用Fe和Mg靶材作为溅射靶，或采用Fe和Al靶材作为溅射靶，以Ar气和O2气作为溅射气体，Ar气和O2气的流量比控制在1～10之间，待硅衬底温度加热至200～700℃后，溅射气体引入反应室至沉积室，整体压强达到1～10Pa后，开始溅射成膜，溅射功率控制在40～100W之间，靶材与衬底的垂直间距为50～100mm，控制沉积膜厚度在1～5nm；沉积完成后，随炉冷却至室温，切断气体源，取出成品，从而获得Mg-Fe-O或Al-Fe-O催化剂薄膜。可大面积制备高效催化剂薄膜，效率高、成本低，适用于碳纳米管阵列的批量制备。
本发明提供一种用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法，先将硅衬底清洗后，并吹干，放入反应磁控溅射装置的反应室中，沉积前反应室背底绝对压力低于5×10-3Pa；采用Fe和Mg靶材作为溅射靶，或采用Fe和Al靶材作为溅射靶，以Ar气和O2气作为溅射气体，Ar气和O2气的流量比控制在1～10之间，待硅衬底温度加热至200～700℃后，溅射气体引入反应室至沉积室，整体压强达到1～10Pa后，开始溅射成膜，溅射功率控制在40～100W之间，靶材与衬底的垂直间距为50～100mm，控制沉积膜厚度在1～5nm；沉积完成后，随炉冷却至室温，切断气体源，取出成品，从而获得Mg-Fe-O或Al-Fe-O催化剂薄膜。可大面积制备高效催化剂薄膜，效率高、成本低，适用于碳纳米管阵列的批量制备。
