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[00134408]一种探测集成电路衬底噪声的方法

交易价格： 面议

所属行业： 纳米及超细材料

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：200910025230.2

交易方式： 技术转让

联系人：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供一种探测集成电路衬底噪声的方法，设计一个采用PMOS管组成的信号通路，采用折叠式结构的两级放大器，作为衬底噪声探测电路，衬底噪声探测电路包括噪声信号耦合部分和信号放大电路，衬底噪声探测电路给出噪声的准确时域波形，经过快速傅里叶变化，通过频域信息，得到噪声在频域上的特点，同时能避免在信号通路中因使用NMOS管而引入的噪声，进而为如何减少，甚至避免数字电路引入的衬底噪声对敏感的模拟电路的影响，缩短SOC的设计周期和提高其成功率。

[00134408]一种探测集成电路衬底噪声的方法

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