[00993023]一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法
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本发明公开了一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)Mn掺杂：在Ga_20_3纳米线上原位掺杂Mn；2)氨化：将掺有Mn的Ga_20_3纳米线在氨气气氛下进行氨化，得到GaMnN稀磁半导体纳米线。本发明方法简单，对设备要求较低，所制备的GaMnN纳米线具有很强的铁磁性，居里温度高于室温，而且其磁性掺杂浓度可控，纳米线纯度高，产量大，线形可控(调节气压等生长参数可以制备出直径几十纳米到几百纳米的纳米线)，可以用于白旋场效应三极管(spin-FET)，白旋发光二极管(spin-LED)，白旋共振隧穿器件(spin-RTD)等纳米白旋电子器件的制造，具有广阔的应用前景。专利申请号为：200710121747.2