[00984845]非致冷红外探测器芯片研制
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技术详细介绍
该课题开发了纳米和微米结构的VO_X（含VO_2）薄膜制造方法，并基于这种薄膜材料研制了红外焦平面器件，达到以下性能: 像元规格：32×32；单元尺寸：100×100μm；微桥高度：2.5μm；红外响应率（R）：5.0×10^3V/W；噪声等效功率（NEP）：3.5×10～10W；噪声等效温差（NETD）：0.4℃；探测率D*：1.8×10^7cmHz1/2W^(-1)。该项目国内首次研制成功，为今后开展非致冷VO_2红外焦平面阵列的研究打下了基础。