X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到国家技术转移西南中心---区域技术转移公共服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00932027]新型硅基薄膜太阳电池大面积低成本技术研究

交易价格: 面议

所属行业: 电池充电器

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:

所在地:

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

该项目在国内首次建成兼有当前国际三大低成本高速沉积技术、性能指标国际一流的星型多功能薄膜自动化沉积系统。自主设计出具有三大低成本高速沉积技术,兼有常规射频、中频CVD技术的新型多功能自动沉积系统。自主开发出制备高效硅薄膜电池的工艺流程自动控制软件,软件具有高度灵活性,可根据需要修改工艺参数。特殊设计外加热器和气体反应源集成配送结构,薄膜不均匀性小于±5%。采用该系统使非晶硅沉积速率提高到50A/s,微晶硅电池效率达到9.2%,非晶硅/微晶硅叠层电池效率11.8%;100cm^2非晶硅/微晶硅叠层电池效率9.7%。在国内首次建成制备大面积透明ZnO薄膜的MOCVD系统,并制备出20cm*20cm,不均匀性小于5%的ZnO透明导电薄膜。
该项目在国内首次建成兼有当前国际三大低成本高速沉积技术、性能指标国际一流的星型多功能薄膜自动化沉积系统。自主设计出具有三大低成本高速沉积技术,兼有常规射频、中频CVD技术的新型多功能自动沉积系统。自主开发出制备高效硅薄膜电池的工艺流程自动控制软件,软件具有高度灵活性,可根据需要修改工艺参数。特殊设计外加热器和气体反应源集成配送结构,薄膜不均匀性小于±5%。采用该系统使非晶硅沉积速率提高到50A/s,微晶硅电池效率达到9.2%,非晶硅/微晶硅叠层电池效率11.8%;100cm^2非晶硅/微晶硅叠层电池效率9.7%。在国内首次建成制备大面积透明ZnO薄膜的MOCVD系统,并制备出20cm*20cm,不均匀性小于5%的ZnO透明导电薄膜。

推荐服务:

Copyright © 2016    国家技术转移西南中心-区域技术转移公共服务平台     All Rights Reserved     蜀ICP备12030382号-1

主办单位:四川省科技厅、四川省科学技术信息研究所、四川省技术转移中心科易网