[00904751]高性能金属诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术

该项研究成果来源于：国家高技术研究发展计划(863计划) “高清晰度平板显示器”重大专项中的“全彩色有机发光有源驱动技术的研究”课题，课题编号：2002AA303260。在各种多晶硅薄膜晶体管技术中，采用金属诱导横向晶化(MILC)制备多晶硅的薄膜晶体管技术，具有高迁移率、良好的均匀性和制备设备简单的优势，在有源选址平板显示器中具有重要的应用价值，有望成为工业化技术。要想使该项技术真正成熟到实用化，关键因素是要使所制备的TFT器件，具有低的漏电电流Ioff、尽量高的开关电流比Ion/Ioff，同时要求降低阈值电压Vth与增大迁移率μEF。该项目成果的创造性在于：薄膜晶体管有源岛制作在镍剩余量较低的横向晶化区，采用优化的工艺流程，将镍剩余量较高的区域从器件中去除，从而获得高迁移率、高开关比、低域值电压、低亚域值幅摆、低漏电流的单栅结构多晶硅薄膜晶体管。通过采用超薄沟道使得域值电压和开关比得到进一步改善；采用多栅结构则可使关态电流得到进一步降低。所研制出的多晶硅薄膜晶体管的漏电流降低了1－2个量级，低亚域值幅摆约为0.7Dec/v。 委托“高等学校科技项目咨询及成果查新中心天津大学工作站”进行查新，经检索国内外的二十一个数据库，国内外均未发现有与该课题技术特征完全相同的专利文献报导(见查新报告)。该项技术不仅可以用于制备有机发光器件、液晶显示器件(LCD)、新型场致发射显示器件(FED)的有源选址电路和外围驱动电路，还可以用于制备大面积薄膜图像传感探测器件(如a-Si PIN/TFT)的有源选址开关。OLED、LCD以及FED等平板显示器是实现人机信息交换的主流界面，这些平板显示器的广泛应用以及该技术所具有的产业化实用性，预示着该项技术具有广阔的市场前景。