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[00882076]利用衍射效应的表面微柱阵列结构高效率发光二极管

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

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技术详细介绍

一种利用衍射效应的表面微柱阵列结构高效率发光二极管,其结构如下:在蓝宝石衬底的缓冲层上生长着N型GaN;在N型GaN层上生长着GaN有源层;在有源层上生长着P型GaN层;在P型GaN层上刻蚀出微柱阵列,该阵列可以是周期性排列的,也可以是非周期排列的二维结构;在P型GaN层上铺设有P型电极和P型焊盘;在N型GaN层上铺设有N型电极和N型焊盘。其优点是利用了光的衍射效应,通过微柱阵列使光充分导出,提高发光效率,并使发光面出光分布均匀;与采用二维光子晶体的发光二极管相比,该结构的制作工艺简单、生产成本低;与传统表面粗糙化处理的发光二极管相比,该结构的出光效率要高得多。200710075440.3
一种利用衍射效应的表面微柱阵列结构高效率发光二极管,其结构如下:在蓝宝石衬底的缓冲层上生长着N型GaN;在N型GaN层上生长着GaN有源层;在有源层上生长着P型GaN层;在P型GaN层上刻蚀出微柱阵列,该阵列可以是周期性排列的,也可以是非周期排列的二维结构;在P型GaN层上铺设有P型电极和P型焊盘;在N型GaN层上铺设有N型电极和N型焊盘。其优点是利用了光的衍射效应,通过微柱阵列使光充分导出,提高发光效率,并使发光面出光分布均匀;与采用二维光子晶体的发光二极管相比,该结构的制作工艺简单、生产成本低;与传统表面粗糙化处理的发光二极管相比,该结构的出光效率要高得多。200710075440.3

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