[00843084]GaN基发光二极管用的荧光粉及其制备方法
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面议
所属行业:
专用化学
类型:
非专利
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技术详细介绍
该发明涉及一种GaN基发光二极管(LED)用的荧光粉及其制备方法,该荧光粉是一种复合硫化物,通式为(AxR1-xS)(B2S3)y或(AxR1-xS)(B2S3)y-z(C2S3)z,其中A代表一种或多种二价金属离子的组合;B代表至少一种或多种选自铝,镓或铟的元素;C代表一种或多种选自Gd、Y和La的元素;R代表Eu或Eu和其它激活剂离子的组合;0.001≤x≤1、1≤y≤5、0.01≤z≤1。该荧光粉按通式表达要求的摩尔配比,使用所表达元素的单质或化合物或盐,经配料,研细混匀后,在保护气氛中经一次或多次煅烧而成。该荧光粉可在300nm-500nm光线(特别是400nm和470nm)激发下发出510nm-650nm光线,适用于制备高亮度的绿色或白色GaN基LED发光二极管。
该发明涉及一种GaN基发光二极管(LED)用的荧光粉及其制备方法,该荧光粉是一种复合硫化物,通式为(AxR1-xS)(B2S3)y或(AxR1-xS)(B2S3)y-z(C2S3)z,其中A代表一种或多种二价金属离子的组合;B代表至少一种或多种选自铝,镓或铟的元素;C代表一种或多种选自Gd、Y和La的元素;R代表Eu或Eu和其它激活剂离子的组合;0.001≤x≤1、1≤y≤5、0.01≤z≤1。该荧光粉按通式表达要求的摩尔配比,使用所表达元素的单质或化合物或盐,经配料,研细混匀后,在保护气氛中经一次或多次煅烧而成。该荧光粉可在300nm-500nm光线(特别是400nm和470nm)激发下发出510nm-650nm光线,适用于制备高亮度的绿色或白色GaN基LED发光二极管。