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[00794780]低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:王女士

所在地:天津天津市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

项目简介: CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特 点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到 0.3$/W本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu n 型与缓冲层 CdS i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺 流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉 CdS ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 Ni/Al 电极沉积,等。

小面积电池指标:效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mVJsc=35.8 mA/cm2,面积 0.34cm2)

合作方式:技术咨询、企业产业化技术支持。



项目简介: CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特 点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到 0.3$/W本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu n 型与缓冲层 CdS i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺 流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积 Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉 CdS ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积 Ni/Al 电极沉积,等。

小面积电池指标:效率 12.01%(FF=0.63,Voc=532mVJsc=35.8 mA/cm2,面积 0.34cm2)

合作方式:技术咨询、企业产业化技术支持。



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