[00765528]磁场中直拉硅单晶
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技术详细介绍
利用该项目设计制成的磁场单晶炉，使熔硅热对流得到明显抑制后，硅单晶电阻率的不均匀度△Ｐ得到改善，用ＭＣＺ技术已可拉制出电阻率２００欧姆、厘米以上的高阻Ｎ型［１１１］晶向的硅单晶，而用直拉法一般只达到８０欧姆、厘米的水平。该成果填补了我国这一领域的空白，并将为我国的半导体器件，尤其是超大规模集成电路提供优质的基础材料器件，有利于提高我国半导体的质量和成品率。在大功率可控硅及大面积ＣＣＤ上的初步试用表明，由于磁场硅单晶的电阻均匀性和完整性较高，使器件参数的一致性和质量方面得到明显改善。