X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到国家技术转移西南中心---区域技术转移公共服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00737056]低成本高质量金刚石膜生长技术及热学方面应用

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:

所在地:

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

取得的主要成果有:表面改性石墨作原料的高压金刚石合成方法;单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长专利,为金刚石膜在电子学领域的应用打下良好基础;金刚石厚膜的制备及应用研究,用直流热阴极PCVD和电子增强CVD方法制备大面积金刚石厚膜,实现了大面积金刚石厚膜的快速生长;用金刚石膜制作SOI结构的抗辐射半导体材料;用于沉积大面积金刚石膜的灯丝排布固定装置,适合长时间使用制备大面积金刚石膜;热阴极辉光等离子体化学气相沉积制备金刚石膜的工艺,用于金刚石膜的产业化生产;含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及其制作工艺,提高了集成电路的抗辐射性、绝缘性和导热性;金刚石膜上的薄层结构芯片材料及其制作方法,可用于电子器件的制备,使电子器件的抗辐射、耐恶劣环境的性能得到提高。
取得的主要成果有:表面改性石墨作原料的高压金刚石合成方法;单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长专利,为金刚石膜在电子学领域的应用打下良好基础;金刚石厚膜的制备及应用研究,用直流热阴极PCVD和电子增强CVD方法制备大面积金刚石厚膜,实现了大面积金刚石厚膜的快速生长;用金刚石膜制作SOI结构的抗辐射半导体材料;用于沉积大面积金刚石膜的灯丝排布固定装置,适合长时间使用制备大面积金刚石膜;热阴极辉光等离子体化学气相沉积制备金刚石膜的工艺,用于金刚石膜的产业化生产;含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及其制作工艺,提高了集成电路的抗辐射性、绝缘性和导热性;金刚石膜上的薄层结构芯片材料及其制作方法,可用于电子器件的制备,使电子器件的抗辐射、耐恶劣环境的性能得到提高。

推荐服务:

Copyright © 2016    国家技术转移西南中心-区域技术转移公共服务平台     All Rights Reserved     蜀ICP备12030382号-1

主办单位:四川省科技厅、四川省科学技术信息研究所、四川省技术转移中心科易网