[00737056]低成本高质量金刚石膜生长技术及热学方面应用
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类型:
非专利
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技术详细介绍
取得的主要成果有:表面改性石墨作原料的高压金刚石合成方法;单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长专利,为金刚石膜在电子学领域的应用打下良好基础;金刚石厚膜的制备及应用研究,用直流热阴极PCVD和电子增强CVD方法制备大面积金刚石厚膜,实现了大面积金刚石厚膜的快速生长;用金刚石膜制作SOI结构的抗辐射半导体材料;用于沉积大面积金刚石膜的灯丝排布固定装置,适合长时间使用制备大面积金刚石膜;热阴极辉光等离子体化学气相沉积制备金刚石膜的工艺,用于金刚石膜的产业化生产;含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及其制作工艺,提高了集成电路的抗辐射性、绝缘性和导热性;金刚石膜上的薄层结构芯片材料及其制作方法,可用于电子器件的制备,使电子器件的抗辐射、耐恶劣环境的性能得到提高。
取得的主要成果有:表面改性石墨作原料的高压金刚石合成方法;单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长专利,为金刚石膜在电子学领域的应用打下良好基础;金刚石厚膜的制备及应用研究,用直流热阴极PCVD和电子增强CVD方法制备大面积金刚石厚膜,实现了大面积金刚石厚膜的快速生长;用金刚石膜制作SOI结构的抗辐射半导体材料;用于沉积大面积金刚石膜的灯丝排布固定装置,适合长时间使用制备大面积金刚石膜;热阴极辉光等离子体化学气相沉积制备金刚石膜的工艺,用于金刚石膜的产业化生产;含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及其制作工艺,提高了集成电路的抗辐射性、绝缘性和导热性;金刚石膜上的薄层结构芯片材料及其制作方法,可用于电子器件的制备,使电子器件的抗辐射、耐恶劣环境的性能得到提高。