[00697098]紫外灵敏的表面型硅光电探测器
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非专利
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技术详细介绍
这种光电探测器可用于光度学测量、光电自动控制装置、星体探测、环境污染测定、雷达保护装置和光电分析仪器。该探测器利用SiO2 /Si界面电荷造成Si表面反型或耗尽的效应制造硅光电探测器。不仅具有P-N结型硅光电二极管的优点,还大大地提高了这种探测器的短波光谱响应灵敏度。在0.33微米至1.06微米波长范围内的响应均大于20%;反向暗电流(-3伏偏压)小于10 安培;响应时间小于10 秒;反向击穿电压大于10伏;该产品与美国ORIEL和日本HAMAMASHU公司同类产品性能指标相近。该产品的制造技术具有工艺简单、成品率高和特性一致等优点,可在没有离子注入设备条件下制造出高性能的光电探测器。
这种光电探测器可用于光度学测量、光电自动控制装置、星体探测、环境污染测定、雷达保护装置和光电分析仪器。该探测器利用SiO2 /Si界面电荷造成Si表面反型或耗尽的效应制造硅光电探测器。不仅具有P-N结型硅光电二极管的优点,还大大地提高了这种探测器的短波光谱响应灵敏度。在0.33微米至1.06微米波长范围内的响应均大于20%;反向暗电流(-3伏偏压)小于10 安培;响应时间小于10 秒;反向击穿电压大于10伏;该产品与美国ORIEL和日本HAMAMASHU公司同类产品性能指标相近。该产品的制造技术具有工艺简单、成品率高和特性一致等优点,可在没有离子注入设备条件下制造出高性能的光电探测器。