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[00387828]大面积非晶硅/微晶硅叠层太阳电池组件中试生产技术研发

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

1、针对平行板电极VHF-PECVD反应室,建立了准平面二维电路模型,应用该模型实现功率馈入点数量及位置的优化计算;应用HFSS三维电磁场仿真软件,通过对大面积VHF-PECVD反应室电磁场进行仿真计算,提出采用刻槽式电极、异型电极和背馈入式电极结构,减小馈入点局部区域表面、电流密度分布,以改善电场分布均匀性;采用CFD-ACE+软件对大面积喷淋式平板电极VHF-PECVD反应室的流体场分布进行了模拟分析,研究了薄膜制备工艺对电极间气压分布均匀性的影响,为优化大面积VHF-PECVD沉积系统制备硅基薄膜提供理论指导;通过建立二维流体自适应等离子体模型,研究了电极间气压非均匀性及电场非均匀性对等离子体分布均匀性的影响,为在甚高频下进行大面积非晶硅、微晶硅薄膜的均匀沉积提供理论指导。2、结合大面积VHF-PECVD反应室电磁场、流体场和等离子体的模拟结果,自行设计并制造了国内首套用于硅基薄膜太阳电池组件研发的五室连续沉积大面积VHF-PECVD系统,衬底面积为0.79m<'2>。在设计研发的五室大面积VHF-PECVD系统中,P、I、N三个VHF-PECVD沉积室均采用课题组拥有自主知识产权的多点背馈入式平行板功率电极结构。3、以自主研制的五室VHF-PECVD系统为核心,构建了国内首条具有自主知识产权的非晶硅/微晶硅叠层电池组件中试生产线,中试产能10kW。
1、针对平行板电极VHF-PECVD反应室,建立了准平面二维电路模型,应用该模型实现功率馈入点数量及位置的优化计算;应用HFSS三维电磁场仿真软件,通过对大面积VHF-PECVD反应室电磁场进行仿真计算,提出采用刻槽式电极、异型电极和背馈入式电极结构,减小馈入点局部区域表面、电流密度分布,以改善电场分布均匀性;采用CFD-ACE+软件对大面积喷淋式平板电极VHF-PECVD反应室的流体场分布进行了模拟分析,研究了薄膜制备工艺对电极间气压分布均匀性的影响,为优化大面积VHF-PECVD沉积系统制备硅基薄膜提供理论指导;通过建立二维流体自适应等离子体模型,研究了电极间气压非均匀性及电场非均匀性对等离子体分布均匀性的影响,为在甚高频下进行大面积非晶硅、微晶硅薄膜的均匀沉积提供理论指导。2、结合大面积VHF-PECVD反应室电磁场、流体场和等离子体的模拟结果,自行设计并制造了国内首套用于硅基薄膜太阳电池组件研发的五室连续沉积大面积VHF-PECVD系统,衬底面积为0.79m<'2>。在设计研发的五室大面积VHF-PECVD系统中,P、I、N三个VHF-PECVD沉积室均采用课题组拥有自主知识产权的多点背馈入式平行板功率电极结构。3、以自主研制的五室VHF-PECVD系统为核心,构建了国内首条具有自主知识产权的非晶硅/微晶硅叠层电池组件中试生产线,中试产能10kW。

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