[00340137]一种等离子减薄装置与方法
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技术详细介绍
本发明涉及半导体晶片加工领域，公开了一种等离子减薄装置与方法，其中等离子减薄装置包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置，其中，第一电极与第二电极平行设置，二者之间具有间隙，惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体，以在间隙内形成等离子体，等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰，刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本发明可以增加待加工工件与电极之间的距离，保证大尺寸晶片加工时的均匀性；同时，本发明的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入，不会产生电弧放电，故可以保证等离子体的稳定性，进而能够适应大尺寸晶片的加工。