[00337888]超低压气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC涂层及其制备方法和应用
交易价格：
面议
所属行业：
通用零部件
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过中试
专利所属地：中国
专利号：CN106637037A
交易方式：
资料待完善
联系人：
西安交通大学
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所在地：陕西西安市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种超低气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC涂层及其制备方法和应用，属于材料加工、机械制造领域。该方法以SiC陶瓷粉末为原料，用高能等离子将其快速加热至分解温度以上使其分解后，在超低压气氛中又通过气相在基体表面沉积形成SiC的涂层制备方法。该方法可快速气相沉积致密的SiC涂层，以价格低廉的SiC粉体为沉积源物质，沉积源物质来源便利，低成本。本发明为优越耐磨损、耐腐蚀、抗核辐射涂层，或导电涂层制备，提供了一种超低气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC与SiC基涂层的制备方法。
本发明公开了一种超低气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC涂层及其制备方法和应用，属于材料加工、机械制造领域。该方法以SiC陶瓷粉末为原料，用高能等离子将其快速加热至分解温度以上使其分解后，在超低压气氛中又通过气相在基体表面沉积形成SiC的涂层制备方法。该方法可快速气相沉积致密的SiC涂层，以价格低廉的SiC粉体为沉积源物质，沉积源物质来源便利，低成本。本发明为优越耐磨损、耐腐蚀、抗核辐射涂层，或导电涂层制备，提供了一种超低气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC与SiC基涂层的制备方法。
