X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到国家技术转移西南中心---区域技术转移公共服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00336116]一种用于中低真空的磁控溅射靶阴极

交易价格: 面议

所属行业: 化工生产

类型: 发明专利

技术成熟度: 通过小试

专利所属地:中国

专利号:CN201510031692.0

交易方式: 资料待完善

联系人: 钢铁研究总院

进入空间

所在地:北京北京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

摘要:本发明属于磁控溅射镀膜生产设备技术领域,具体涉及一种用于中低真空的磁控溅射靶阴极,该磁控溅射靶阴极包括阴极体外壳(1)、靶材(2)、外磁体(3)、内磁体(4)、基座(5)和冷却通道(6),其中,阴极体外壳(1)为中空的圆筒形,圆筒侧壁镶嵌有外磁体(3),阴极体外壳(1)中心设置内磁体(4),内磁体(4)与阴极体外壳(1)之间为冷却通道(6);阴极体外壳(1)上表面为靶材(2),下表面为基座(5);内磁体(4)和外磁体(3)有1~10mm的高度差。本发明通过优化磁控溅射靶阴极结构的方法来提高靶材利用率,结构简单,可操作性强,性能可靠。
摘要:本发明属于磁控溅射镀膜生产设备技术领域,具体涉及一种用于中低真空的磁控溅射靶阴极,该磁控溅射靶阴极包括阴极体外壳(1)、靶材(2)、外磁体(3)、内磁体(4)、基座(5)和冷却通道(6),其中,阴极体外壳(1)为中空的圆筒形,圆筒侧壁镶嵌有外磁体(3),阴极体外壳(1)中心设置内磁体(4),内磁体(4)与阴极体外壳(1)之间为冷却通道(6);阴极体外壳(1)上表面为靶材(2),下表面为基座(5);内磁体(4)和外磁体(3)有1~10mm的高度差。本发明通过优化磁控溅射靶阴极结构的方法来提高靶材利用率,结构简单,可操作性强,性能可靠。

推荐服务:

Copyright © 2016    国家技术转移西南中心-区域技术转移公共服务平台     All Rights Reserved     蜀ICP备12030382号-1

主办单位:四川省科技厅、四川省科学技术信息研究所、四川省技术转移中心科易网