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[00335441]一种Cu3SbSe4三元纳米球的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 通过小试

专利所属地:中国

专利号:CN201410014937.4

交易方式: 资料待完善

联系人: 安徽大学

进入空间

所在地:安徽合肥市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种Cu3SbSe4三元纳米球的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明在室温下制备硒源,将其注射到180摄氏度的阳离子反应溶液中,反应时间为半小时,结束后水浴迅速冷却反应的溶液,冷却液经几次离心洗涤处理后烘干得到产物。合成步骤简单,产率高,节能,适合大量快速合成,得到的产物为直径18纳米的球,颗粒分布均匀。通过等离子放电烧结成型后,经测试和计算Cu3SbSe4纳米材料具有很好的热电性质。
摘要:本发明公开了一种Cu3SbSe4三元纳米球的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明在室温下制备硒源,将其注射到180摄氏度的阳离子反应溶液中,反应时间为半小时,结束后水浴迅速冷却反应的溶液,冷却液经几次离心洗涤处理后烘干得到产物。合成步骤简单,产率高,节能,适合大量快速合成,得到的产物为直径18纳米的球,颗粒分布均匀。通过等离子放电烧结成型后,经测试和计算Cu3SbSe4纳米材料具有很好的热电性质。

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