[00335441]一种Cu3SbSe4三元纳米球的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
纳米及超细材料
类型:
发明专利
技术成熟度:
通过小试
专利所属地:中国
专利号:CN201410014937.4
交易方式:
资料待完善
联系人:
安徽大学
进入空间
所在地:安徽合肥市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明公开了一种Cu3SbSe4三元纳米球的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明在室温下制备硒源,将其注射到180摄氏度的阳离子反应溶液中,反应时间为半小时,结束后水浴迅速冷却反应的溶液,冷却液经几次离心洗涤处理后烘干得到产物。合成步骤简单,产率高,节能,适合大量快速合成,得到的产物为直径18纳米的球,颗粒分布均匀。通过等离子放电烧结成型后,经测试和计算Cu3SbSe4纳米材料具有很好的热电性质。
摘要:本发明公开了一种Cu3SbSe4三元纳米球的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明在室温下制备硒源,将其注射到180摄氏度的阳离子反应溶液中,反应时间为半小时,结束后水浴迅速冷却反应的溶液,冷却液经几次离心洗涤处理后烘干得到产物。合成步骤简单,产率高,节能,适合大量快速合成,得到的产物为直径18纳米的球,颗粒分布均匀。通过等离子放电烧结成型后,经测试和计算Cu3SbSe4纳米材料具有很好的热电性质。