[00334793]氮化镓基低漏电流固支梁的与非门
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201510379290.X
交易方式：
资料待完善
联系人：
东南大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明的氮化镓基低漏电流固支梁的与非门制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，由两个N型沟道MESFET(11)和电阻R顺序串联所构成，该N型沟道MESFET(11)包括源极、漏极、栅极和沟道，这两个N沟道MESFET(11)具有悬浮的固支梁(4)，该固支梁(4)的两端固定在锚区(2)上，中间横跨在栅极(10)上方且与栅极(10)之间有一间隙，偏置信号连接到固支梁(4)上，固支梁(4)由Au材料制作的，在固支梁(4)下方设有两个下拉电极(5)，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)，这种结构可以大大减小栅极泄漏电流，从而降低器件的功耗。
摘要：本发明的氮化镓基低漏电流固支梁的与非门制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，由两个N型沟道MESFET(11)和电阻R顺序串联所构成，该N型沟道MESFET(11)包括源极、漏极、栅极和沟道，这两个N沟道MESFET(11)具有悬浮的固支梁(4)，该固支梁(4)的两端固定在锚区(2)上，中间横跨在栅极(10)上方且与栅极(10)之间有一间隙，偏置信号连接到固支梁(4)上，固支梁(4)由Au材料制作的，在固支梁(4)下方设有两个下拉电极(5)，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)，这种结构可以大大减小栅极泄漏电流，从而降低器件的功耗。
