[00333095]一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201710028040.0
交易方式：
资料待完善
联系人：
厦门立德软件公司
进入空间
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤(1)将硅或III‑V族半导体材料的工件进行清洗干燥；(2)在工件上沉积单层聚苯乙烯(PS)小球，通过反应离子刻蚀减小PS小球的直径后，依次蒸镀钛(Ti)和金(Au)层；(3)根据不同的刻蚀角度配置相应的刻蚀液，刻蚀液可沿着工件的某一晶向进行刻蚀；(4)将工件放入对应起始角度的刻蚀液中，通过刻蚀时间控制刻蚀长度；(5)取出工件清洗干燥处理后，浸入预设刻蚀角度对应的刻蚀液中进行刻蚀，通过刻蚀时间控制刻蚀长度；刻蚀后进行清洗干燥处理；若需多个弯折点，则重复步骤(4)和步骤(5)；本发明实现在工件上形成完全可控弯折角的折点纳米线阵列，操作简单且成本低廉。
一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤(1)将硅或III‑V族半导体材料的工件进行清洗干燥；(2)在工件上沉积单层聚苯乙烯(PS)小球，通过反应离子刻蚀减小PS小球的直径后，依次蒸镀钛(Ti)和金(Au)层；(3)根据不同的刻蚀角度配置相应的刻蚀液，刻蚀液可沿着工件的某一晶向进行刻蚀；(4)将工件放入对应起始角度的刻蚀液中，通过刻蚀时间控制刻蚀长度；(5)取出工件清洗干燥处理后，浸入预设刻蚀角度对应的刻蚀液中进行刻蚀，通过刻蚀时间控制刻蚀长度；刻蚀后进行清洗干燥处理；若需多个弯折点，则重复步骤(4)和步骤(5)；本发明实现在工件上形成完全可控弯折角的折点纳米线阵列，操作简单且成本低廉。
