技术详细介绍
本发明揭示了一种基于SOI材料的交叉波导，其由输入/输出区，过渡区，以及交叉区组成；
输入/输出区为缝隙直波导，该缝隙直波导由两条硅直波导，以及垂直缝隙组成，其中，两条硅直波导均为条形波导，垂直缝隙内填充二氧化硅；
过渡区为缝隙弯曲波导，该缝隙弯曲波导由两条硅弯曲波导，以及垂直缝隙组成，其中，两条硅弯曲波导均为条形波导，垂直缝隙内填充高折射率二氧化硅；
交叉区为一条直波导，该直波导由一条高折射率二氧化硅波导，以及二氧化硅组成。
同时，本发明还揭示了一种基于SOI材料的交叉波导的制备方法。
本发明的交叉波导交叉损耗与串扰小，工作带宽大，制备工艺的容差大，适于低成本、高集成度、大规模制造。