本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。
本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。
此外,本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。
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