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[00303126]一种全CMOS基准电压源

交易价格: 面议

所属行业: 控制系统

类型: 实用新型专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201620429118.0

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 桂林电子科技大学

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所在地:广西壮族自治区桂林市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。

本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。

本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。

本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。

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