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[00302843]一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201510522304.9

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 桂林电子科技大学

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所在地:广西壮族自治区桂林市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法,针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离,提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法,即首先去除表面高掺杂层,再进行离子注入隔离,有效提高了离子注入的注入效果,进而提高了有源区之间的隔离效果。

在同等条件下,离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法,具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点,并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端,对半导体制造工艺有很好的使用价值。

本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法,针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离,提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法,即首先去除表面高掺杂层,再进行离子注入隔离,有效提高了离子注入的注入效果,进而提高了有源区之间的隔离效果。

在同等条件下,离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法,具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点,并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端,对半导体制造工艺有很好的使用价值。

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