本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法,针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离,提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法,即首先去除表面高掺杂层,再进行离子注入隔离,有效提高了离子注入的注入效果,进而提高了有源区之间的隔离效果。
在同等条件下,离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法,具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点,并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端,对半导体制造工艺有很好的使用价值。
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