[00301380]一种SiC@C核壳结构纳米线的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他化学化工
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510245661.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
哈尔滨工业大学
进入空间
所在地：黑龙江哈尔滨市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：一种SiC@C核壳结构纳米线的制备方法，它涉及一种核壳结构纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC存在频散特性低的问题。制备方法一、混合得到混合物；二、反应得到反应物；三、分离干燥得到固体粉末；四、高温碳化处理得到SiC@C核壳结构纳米线。优点一、整个工艺简单，操作方便，使用设备简单，成本低，不会造成污染；二、避免了杂质的引入和结构缺陷问题，制备的SiC@C核壳结构纳米线外壳表面光滑，包覆层致密均一；三、所用碳源原料廉价易得，可以通过调节反应液浓度来有效地控制包覆壳层的厚度；四、有良好的吸波性能。本发明主要用于制备SiC@C核壳结构纳米线。
摘要：一种SiC@C核壳结构纳米线的制备方法，它涉及一种核壳结构纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC存在频散特性低的问题。制备方法一、混合得到混合物；二、反应得到反应物；三、分离干燥得到固体粉末；四、高温碳化处理得到SiC@C核壳结构纳米线。优点一、整个工艺简单，操作方便，使用设备简单，成本低，不会造成污染；二、避免了杂质的引入和结构缺陷问题，制备的SiC@C核壳结构纳米线外壳表面光滑，包覆层致密均一；三、所用碳源原料廉价易得，可以通过调节反应液浓度来有效地控制包覆壳层的厚度；四、有良好的吸波性能。本发明主要用于制备SiC@C核壳结构纳米线。
