X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到国家技术转移西南中心---区域技术转移公共服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00297177]一种核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201410238176.0

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 河南大学

进入空间

所在地:河南开封市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

摘要:本发明属于一种核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体,所述核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体是以纳米四角体硒化镉为核,硫化铅包覆生长于纳米四角体硒化镉表面;硒化镉与硫化铅的质量比为1﹕3~32﹕1。通过低温热注入前驱体溶液在已成纳米四角体表面外延生长第二相材料从而获得核壳结构纳米硒化镉/硫化铅纳米四角体。本发明可以在温和条件下,通过了过程可控的二次热注入方式,在已有纳米四角体表面高质量地外延生长第二相壳层材料,制得的核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体具有高的电荷传输能力。
摘要:本发明属于一种核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体,所述核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体是以纳米四角体硒化镉为核,硫化铅包覆生长于纳米四角体硒化镉表面;硒化镉与硫化铅的质量比为1﹕3~32﹕1。通过低温热注入前驱体溶液在已成纳米四角体表面外延生长第二相材料从而获得核壳结构纳米硒化镉/硫化铅纳米四角体。本发明可以在温和条件下,通过了过程可控的二次热注入方式,在已有纳米四角体表面高质量地外延生长第二相壳层材料,制得的核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体具有高的电荷传输能力。

推荐服务:

Copyright © 2016    国家技术转移西南中心-区域技术转移公共服务平台     All Rights Reserved     蜀ICP备12030382号-1

主办单位:四川省科技厅、四川省科学技术信息研究所、四川省技术转移中心科易网