[00290350]基于高速低功耗外围电路以及纠错算法模型的128k 阻变存储器（忆阻器、ReRAM）芯片
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联系人：厦门理工学院
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技术详细介绍
阻变存储器基于0.13µm CMOS混合信号工艺进行实现。针对ReRAM 的结构特点，高速低功耗外围电路包括自适应写验证（Write-verify）电路，尾码（Tail bit）消除电路，ReRAM 电路刷新机制提高保持（retension）机制，改善读打扰（read disturb）机制。芯片内部同时包括多种纠错算法模型，如BCH 码纠错、汉明码纠错、海思码纠错等。测试结果显示该写电路功能良好，在高阻100k和10k时, 写入成功率接近100%。
该芯片可作为新型高速存储器、类脑计算的神经突触应用的核心部件，应用于人工智能的语音识别、图像识别系统解决方案。