技术详细介绍
项目简介：2009年，自旋力矩存储器件被提出，它可以为大密度非易失性存储器和神经形态计算提供快速，低功耗和无限大的存储行为。
项目核心创新点：一种基于垂直各向异性磁隧道的纳米级自旋-转矩存储器件具有CoFeB/W/CoFeB复合自由层结构的L结。 它的隧穿磁电阻大于200%，并且可以通过自旋转移转矩开关实现记忆行为。 通过围绕W原子团簇的鲁棒畴壁钉扎来维持记忆态，其中通过相反的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用之间的竞争和由Ruderman-Kittel-Kasuya-Yo引起的起伏的层间耦合可以形成纳米尺度的垂直手征自旋织构。
项目详细用途：用于制造功能先进强大的计算存储器。
预期效益说明：预计可以产生经济效益20亿元。