[00284771]具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410151399.3
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
吉林大学
进入空间
所在地：吉林长春市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由石英衬底、贵金属掺杂的TiO2薄膜层、纯TiO2薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于：探测器具有贵金属掺杂的TiO2薄膜层和纯TiO2薄膜层组成的同质结构。一方面通过贵金属的掺杂，基体材料具有更低的费米能级，降低了金属电极和基体材料接触的势垒高度；另一方面，贵金属掺杂的TiO2薄膜层与TiO2层形成的同质结构的内建电场方向与器件本身金半接触的内建电场方向相反，同样也降低了势垒高度。最终从材料的掺杂改性和器件结构两方面有效改善了紫外探测器的光响应特性。
摘要：具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由石英衬底、贵金属掺杂的TiO2薄膜层、纯TiO2薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于：探测器具有贵金属掺杂的TiO2薄膜层和纯TiO2薄膜层组成的同质结构。一方面通过贵金属的掺杂，基体材料具有更低的费米能级，降低了金属电极和基体材料接触的势垒高度；另一方面，贵金属掺杂的TiO2薄膜层与TiO2层形成的同质结构的内建电场方向与器件本身金半接触的内建电场方向相反，同样也降低了势垒高度。最终从材料的掺杂改性和器件结构两方面有效改善了紫外探测器的光响应特性。
