X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到国家技术转移西南中心---区域技术转移公共服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00284770]n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201010117462.3

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 吉林大学

进入空间

所在地:吉林长春市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

摘要:本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法,属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上;用银浆在导电阴极和导电阳极上分别连接铜导线。制备方法的第1步生长硼掺杂的p-型多晶微米金刚石膜或硼掺杂的p-型金刚石单晶;第2步在p型金刚石溅射ZnO晶种层;第3步在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中,在ZnO晶种层上生长ZnO纳米棒;第4步制作电极。本发明利用水热合成法在金刚石上制备ZnO纳米棒结构,通过调节ZnO的尺寸、退火处理、金刚石的掺硼浓度、晶粒尺寸等手段在低温下获得性能优越的异质结;方法简单成本低,适合大规模生产及应用。
摘要:本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法,属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上;用银浆在导电阴极和导电阳极上分别连接铜导线。制备方法的第1步生长硼掺杂的p-型多晶微米金刚石膜或硼掺杂的p-型金刚石单晶;第2步在p型金刚石溅射ZnO晶种层;第3步在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中,在ZnO晶种层上生长ZnO纳米棒;第4步制作电极。本发明利用水热合成法在金刚石上制备ZnO纳米棒结构,通过调节ZnO的尺寸、退火处理、金刚石的掺硼浓度、晶粒尺寸等手段在低温下获得性能优越的异质结;方法简单成本低,适合大规模生产及应用。

推荐服务:

Copyright © 2016    国家技术转移西南中心-区域技术转移公共服务平台     All Rights Reserved     蜀ICP备12030382号-1

主办单位:四川省科技厅、四川省科学技术信息研究所、四川省技术转移中心科易网