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[00276074]一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法

交易价格： 面议

所属行业： 化工生产

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510115066.X

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：南京大学

进入空间

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）靶材选取，选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材，将靶材放入磁控共溅射室；（2）衬底处理，对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗，放入磁控共溅射室；（3）制备铌硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10^-5

[00276074]一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法

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