[00274768]ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710093149.2
交易方式:
技术转让
技术转让
技术入股
联系人:
南京大学
进入空间
所在地:江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED,以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底,使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层,以ZnO外延层作为高品质导电衬底,后续生长GaN紫外LED外延,LED芯片经剥离和转移后,形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED,可降低器件成本,并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED,剥离工艺简单,成本低,有利于实现柔性衬底的照明工程。
一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED,以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底,使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层,以ZnO外延层作为高品质导电衬底,后续生长GaN紫外LED外延,LED芯片经剥离和转移后,形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED,可降低器件成本,并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED,剥离工艺简单,成本低,有利于实现柔性衬底的照明工程。