[00274761]一种Ⅲ族氮化物外延晶体及其生长方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510377450.7
交易方式:
技术转让
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技术入股
联系人:
南京大学
进入空间
所在地:江苏南京市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种III族氮化物外延晶体及其生长方法,自下而上依次包含衬底,第一III族氮化物外延层,石墨烯,图形化掩膜层,第二III族氮化物外延层。本发明的一种III族氮化物外延晶体具有低应力,低缺陷密度等优点,且其制备工艺可控,适于工业化生产。
本发明公开了一种III族氮化物外延晶体及其生长方法,自下而上依次包含衬底,第一III族氮化物外延层,石墨烯,图形化掩膜层,第二III族氮化物外延层。本发明的一种III族氮化物外延晶体具有低应力,低缺陷密度等优点,且其制备工艺可控,适于工业化生产。