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[00274761]一种Ⅲ族氮化物外延晶体及其生长方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201510377450.7

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 南京大学

进入空间

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种III族氮化物外延晶体及其生长方法,自下而上依次包含衬底,第一III族氮化物外延层,石墨烯,图形化掩膜层,第二III族氮化物外延层。本发明的一种III族氮化物外延晶体具有低应力,低缺陷密度等优点,且其制备工艺可控,适于工业化生产。
本发明公开了一种III族氮化物外延晶体及其生长方法,自下而上依次包含衬底,第一III族氮化物外延层,石墨烯,图形化掩膜层,第二III族氮化物外延层。本发明的一种III族氮化物外延晶体具有低应力,低缺陷密度等优点,且其制备工艺可控,适于工业化生产。

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