X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到国家技术转移西南中心---区域技术转移公共服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00273594]一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法和在光电器件应用

交易价格: 面议

所属行业: 合成化学

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610382531.0

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 南京邮电大学

进入空间

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

本发明公开了一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法,其结构可由通式(I)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的杂环衍生物可以通过Suzuki偶联反应、C‑H活化偶联反应、Sonogashira偶联反应、PtCl2催化环化反应和Scholl反应合成。本发明的多环芳烃衍生物不仅具有优良的溶解性和热稳定性,并且具有优异的π共轭骨架,π共轭体系的增加有利于提高相应器件性能,是性能很好的有机半导体材料。
本发明公开了一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法,其结构可由通式(I)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的杂环衍生物可以通过Suzuki偶联反应、C‑H活化偶联反应、Sonogashira偶联反应、PtCl2催化环化反应和Scholl反应合成。本发明的多环芳烃衍生物不仅具有优良的溶解性和热稳定性,并且具有优异的π共轭骨架,π共轭体系的增加有利于提高相应器件性能,是性能很好的有机半导体材料。

推荐服务:

Copyright © 2016    国家技术转移西南中心-区域技术转移公共服务平台     All Rights Reserved     蜀ICP备12030382号-1

主办单位:四川省科技厅、四川省科学技术信息研究所、四川省技术转移中心科易网