技术详细介绍
本发明是一种大入射角一维磁光子晶体宽带光隔离器。其中光隔离器结构是由磁光介质层(1)、高折射率电介质层(2)和低折射率电介质层(3)沿Z轴周期性排列的一维结构,磁光介质层为Ce:YIG,高折射率电介质层为Si,低折射率电介质层为SiO
2,采用多磁光介质层和三种膜层重复数控制光隔离器结构;外加磁场(4)与光路光轴之间的夹角
(5)为19.95度。该磁光子晶体光隔离器在中心波长λ
0=1550nm的条件下采用掺铈钇铁石榴石Ce:YIG作磁光介质层M、硅作高折射率的电介质层H、二氧化硅作低折射率的电介质层L、外加磁场;其利用磁光法拉第效应,实现了对光线入射角度α(6)具有宽容性的宽带光隔离。
本发明是一种大入射角一维磁光子晶体宽带光隔离器。其中光隔离器结构是由磁光介质层(1)、高折射率电介质层(2)和低折射率电介质层(3)沿Z轴周期性排列的一维结构,磁光介质层为Ce:YIG,高折射率电介质层为Si,低折射率电介质层为SiO
2,采用多磁光介质层和三种膜层重复数控制光隔离器结构;外加磁场(4)与光路光轴之间的夹角
(5)为19.95度。该磁光子晶体光隔离器在中心波长λ
0=1550nm的条件下采用掺铈钇铁石榴石Ce:YIG作磁光介质层M、硅作高折射率的电介质层H、二氧化硅作低折射率的电介质层L、外加磁场;其利用磁光法拉第效应,实现了对光线入射角度α(6)具有宽容性的宽带光隔离。