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[00273175]大入射角磁光子晶体宽带光隔离器

交易价格: 面议

所属行业: 光学仪器

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201510465311.X

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 南京邮电大学

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所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明是一种大入射角一维磁光子晶体宽带光隔离器。其中光隔离器结构是由磁光介质层(1)、高折射率电介质层(2)和低折射率电介质层(3)沿Z轴周期性排列的一维结构,磁光介质层为Ce:YIG,高折射率电介质层为Si,低折射率电介质层为SiO2,采用多磁光介质层和三种膜层重复数控制光隔离器结构;外加磁场(4)与光路光轴之间的夹角(5)为19.95度。该磁光子晶体光隔离器在中心波长λ0=1550nm的条件下采用掺铈钇铁石榴石Ce:YIG作磁光介质层M、硅作高折射率的电介质层H、二氧化硅作低折射率的电介质层L、外加磁场;其利用磁光法拉第效应,实现了对光线入射角度α(6)具有宽容性的宽带光隔离。
本发明是一种大入射角一维磁光子晶体宽带光隔离器。其中光隔离器结构是由磁光介质层(1)、高折射率电介质层(2)和低折射率电介质层(3)沿Z轴周期性排列的一维结构,磁光介质层为Ce:YIG,高折射率电介质层为Si,低折射率电介质层为SiO2,采用多磁光介质层和三种膜层重复数控制光隔离器结构;外加磁场(4)与光路光轴之间的夹角(5)为19.95度。该磁光子晶体光隔离器在中心波长λ0=1550nm的条件下采用掺铈钇铁石榴石Ce:YIG作磁光介质层M、硅作高折射率的电介质层H、二氧化硅作低折射率的电介质层L、外加磁场;其利用磁光法拉第效应,实现了对光线入射角度α(6)具有宽容性的宽带光隔离。

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