当前位置：首页 > 科技成果 > 详细页

[00273173]利用低介电常数超材料制备的磁光隔离器

交易价格： 面议

所属行业： 光学仪器

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610179774.4

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：南京邮电大学

进入空间

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

发布技术需求服务免费，交易还可领红包哦

技术详细介绍

本发明公开了利用低介电常数超材料制备的磁光隔离器，其结构式是：G2G1G2G1MG1G2G1G2G1G2G1G2G1，为一维单缺陷磁光光子晶体，其中，G1为厚度0.1210微米的五氧化二钛；G2为厚度0.3454微米的低介电常数超材料；M是厚度4.3462微米的掺铋钇铁石榴石。本发明旨在中心波长1.053微米附近实现克尔旋转角接近45°，能量反射率大于98％，且具有厚度薄(7.2657微米)、层数较少的特征。

[00273173]利用低介电常数超材料制备的磁光隔离器

技术详细介绍

推荐服务：