[00268525]两步退火辅助氯化镍诱导晶化非晶硅薄膜的方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201210201410.3
交易方式:
技术转让
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联系人:
上海大学
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所在地:上海上海市
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技术详细介绍
摘要:本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法,属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜;将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中,得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面,随后在400℃~450℃退火1~2小时先形成NiSi2作为晶种层,再升温到500℃~550℃退火1~4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右,晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比,所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小,因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。
摘要:本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法,属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜;将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中,得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面,随后在400℃~450℃退火1~2小时先形成NiSi2作为晶种层,再升温到500℃~550℃退火1~4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右,晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比,所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小,因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。