[00268523]自对准式TFT有源矩阵的制造方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201010561384.6
交易方式:
技术转让
技术转让
技术入股
联系人:
上海大学
进入空间
所在地:上海上海市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法,该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作,从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低,提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法,本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作,即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形,在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层,从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低,提高制造成品率。
摘要:本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法,该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作,从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低,提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法,本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作,即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形,在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层,从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低,提高制造成品率。