[00268268]基于SiC衬底片深刻蚀光滑表面的加工工艺
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410848217.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
上海师范大学
进入空间
所在地：上海上海市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明一种基于SiC衬底片深刻蚀光滑表面的加工工艺，涉及宽禁带半导体材料深刻蚀技术领域。其包括对衬底进行清洗；光刻图形转移技术在SiC衬底片上进行图形化；超高真空磁控溅射种子层Ni/Cr/Au，实现金属图形化；通过种子层增强衬底导电性；电镀形成微米级厚的刻蚀掩膜层Ni；衬底片与Si片粘合；使用RIE深刻蚀形成深度为72μm的圆形应变膜片；移除Si片和金属掩膜等步骤。本发明具有制备方法简单、操作流程简洁、条件可控等特点。为电子工业产品市场需求宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和电子漂移速率等特性的高温、高功率、高频、低损耗器件提供技术物质基础。
摘要：本发明一种基于SiC衬底片深刻蚀光滑表面的加工工艺，涉及宽禁带半导体材料深刻蚀技术领域。其包括对衬底进行清洗；光刻图形转移技术在SiC衬底片上进行图形化；超高真空磁控溅射种子层Ni/Cr/Au，实现金属图形化；通过种子层增强衬底导电性；电镀形成微米级厚的刻蚀掩膜层Ni；衬底片与Si片粘合；使用RIE深刻蚀形成深度为72μm的圆形应变膜片；移除Si片和金属掩膜等步骤。本发明具有制备方法简单、操作流程简洁、条件可控等特点。为电子工业产品市场需求宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和电子漂移速率等特性的高温、高功率、高频、低损耗器件提供技术物质基础。
