当前位置：首页 > 科技成果 > 详细页

[00268267]一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410837842.2

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：上海师范大学

进入空间

所在地：上海上海市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

发布技术需求服务免费，交易还可领红包哦

技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法，其首先采用溶胶法将半导体氧化物量子点吸附在石墨纳米晶表面，然后将其作为晶种生长液，在晶硅片上生长沉积。该方法中半导体氧化物量子点/石墨纳米晶的粒径为1～100nm，在晶硅片上均匀生长，利用量子点、异质结及石墨纳米晶独有的特性，提高少子寿命的同时，明显提高晶硅电池的外量子效率，从而提高太阳能光伏电池的光电转换效率。

[00268267]一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法

技术详细介绍

推荐服务：