[00268178]ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710493812.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
深圳大学
进入空间
所在地：广东深圳市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用，包括Si衬底，及Si衬底上依次叠层的具有c轴择优取向的AlN薄膜和ZnO薄膜。本发明以传统半导体工艺兼容性好的单晶Si（100）作为衬底材料，采用反应磁控溅射法，首先利用Al靶材反应溅射在Si衬底上生长出AlN（110）薄膜，然后通过AlN薄膜（110）晶面与ZnO（110）薄膜晶面较低的晶格适配度，利用Zn靶材反应溅射在AlN（110）薄膜上成长出ZnO（110）薄膜，最终形成ZnO(110)/AlN(110)/Si多层结构薄膜。本发明制备方法设备简单，工艺简便，成本低廉，为Love‑SAW传感器提供新型的压电薄膜材料。
摘要：本发明公开ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用，包括Si衬底，及Si衬底上依次叠层的具有c轴择优取向的AlN薄膜和ZnO薄膜。本发明以传统半导体工艺兼容性好的单晶Si（100）作为衬底材料，采用反应磁控溅射法，首先利用Al靶材反应溅射在Si衬底上生长出AlN（110）薄膜，然后通过AlN薄膜（110）晶面与ZnO（110）薄膜晶面较低的晶格适配度，利用Zn靶材反应溅射在AlN（110）薄膜上成长出ZnO（110）薄膜，最终形成ZnO(110)/AlN(110)/Si多层结构薄膜。本发明制备方法设备简单，工艺简便，成本低廉，为Love‑SAW传感器提供新型的压电薄膜材料。
