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[00265381]一种多功能中子流屏蔽复合材料的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710406359.2

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 四川大学

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所在地:四川成都市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种多功能中子流屏蔽复合材料的制备方法,中子流在这种氮化硼与硫酸钡交替层状分布的多功能中子流屏蔽复合材料中,经聚合物基体的散射耗散一部分中子,氮化硼层层界面间多次散射、吸收,由此实现屏中子流蔽效率的大幅度提高;中子流引发的次级放射在硫酸钡层层界面间多次散射、衰减,最终以热量的形式耗散,基于此实现中子流屏蔽复合材料屏蔽中子流次级放射的功能。另外,硫酸钡的加入对中子流有一定的慢化作用,即是增强了中子流的康普顿散射效应,也就是增加了中子流能量的耗散途径。因此,中子流的屏蔽效率也会得到提高。通过本发明方法制备的多功能中子流屏蔽复合材料层数、层厚可控,配方可调,防护效率高,力学性能优良,生产方法简单、性能稳定、易于大规模生产。
本发明公开了一种多功能中子流屏蔽复合材料的制备方法,中子流在这种氮化硼与硫酸钡交替层状分布的多功能中子流屏蔽复合材料中,经聚合物基体的散射耗散一部分中子,氮化硼层层界面间多次散射、吸收,由此实现屏中子流蔽效率的大幅度提高;中子流引发的次级放射在硫酸钡层层界面间多次散射、衰减,最终以热量的形式耗散,基于此实现中子流屏蔽复合材料屏蔽中子流次级放射的功能。另外,硫酸钡的加入对中子流有一定的慢化作用,即是增强了中子流的康普顿散射效应,也就是增加了中子流能量的耗散途径。因此,中子流的屏蔽效率也会得到提高。通过本发明方法制备的多功能中子流屏蔽复合材料层数、层厚可控,配方可调,防护效率高,力学性能优良,生产方法简单、性能稳定、易于大规模生产。

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