[00264249]一种产生负微分电阻的共振隧穿二极管
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510694974.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
四川大学
进入空间
所在地：四川成都市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种产生负微分电阻的共振隧穿二极管有源区新型结构，该结构可产生安培级输出电流，应用于太赫兹信号源设计可产生瓦级太赫兹信号输出功率。所发明共振隧穿二极管的有源区中量子阱由AlGaN/GaN/AlGaN双势垒单势阱结构组成；量子阱夹在阶梯异质结构的AlxGa1-xN隔离区和GaN隔离区之间；这三层三明治结构又夹在n型AlN发射区和n型GaN集电区之间。集电区和发射区是欧姆接触区，采用重掺杂，其余区域都不掺杂。发射区和集电区的作用在于形成欧姆接触，和两个电极相连；量子阱区域作用在于形成量子共振隧穿效应，从而获得负微分电阻；阶梯式异质结构的隔离区的作用在于形成二维电子气，降低集电区耗尽电场，提高输出电流。理论分析和仿真温度在室温下（300K）进行获得了目前共振隧穿二极管研究报道中最大电流的负微分电阻区域。
摘要：本发明公开了一种产生负微分电阻的共振隧穿二极管有源区新型结构，该结构可产生安培级输出电流，应用于太赫兹信号源设计可产生瓦级太赫兹信号输出功率。所发明共振隧穿二极管的有源区中量子阱由AlGaN/GaN/AlGaN双势垒单势阱结构组成；量子阱夹在阶梯异质结构的AlxGa1-xN隔离区和GaN隔离区之间；这三层三明治结构又夹在n型AlN发射区和n型GaN集电区之间。集电区和发射区是欧姆接触区，采用重掺杂，其余区域都不掺杂。发射区和集电区的作用在于形成欧姆接触，和两个电极相连；量子阱区域作用在于形成量子共振隧穿效应，从而获得负微分电阻；阶梯式异质结构的隔离区的作用在于形成二维电子气，降低集电区耗尽电场，提高输出电流。理论分析和仿真温度在室温下（300K）进行获得了目前共振隧穿二极管研究报道中最大电流的负微分电阻区域。
