[00259366]一种二硫化铼纳米片阵列薄膜吸附式传感器及制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
检测仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710102730.6
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本公开揭示了一种二硫化铼纳米片阵列薄膜吸附式传感器及制备方法，所述传感器包括电极基底和敏感材料两个部分。电极基底由金电极和陶瓷绝缘薄片衬底构成，其中，所述金电极为叉指电极结构。敏感材料为二硫化铼纳米片阵列薄膜，利用化学气相沉积法合成。通过设计合成策略，可直接在电极基底上沉积获得垂直于电极基底取向的二硫化铼纳米片阵列薄膜，以构成吸附式传感器。该传感器结构简单、体积小、制备成本低、合成简单。由于纳米片的垂直取向，其表面可以吸附更多的气体分子，且有利于分子的扩散。因此，相较于现有传感器，它具有灵敏度高、响应恢复时间短、准确性好的优点，非常适合推广应用。
本公开揭示了一种二硫化铼纳米片阵列薄膜吸附式传感器及制备方法，所述传感器包括电极基底和敏感材料两个部分。电极基底由金电极和陶瓷绝缘薄片衬底构成，其中，所述金电极为叉指电极结构。敏感材料为二硫化铼纳米片阵列薄膜，利用化学气相沉积法合成。通过设计合成策略，可直接在电极基底上沉积获得垂直于电极基底取向的二硫化铼纳米片阵列薄膜，以构成吸附式传感器。该传感器结构简单、体积小、制备成本低、合成简单。由于纳米片的垂直取向，其表面可以吸附更多的气体分子，且有利于分子的扩散。因此，相较于现有传感器，它具有灵敏度高、响应恢复时间短、准确性好的优点，非常适合推广应用。
